纳米硅/单晶硅异质结的电学特性

纳米硅/单晶硅异质结的电学特性，周哲，刘爱民，本文主要研究了inc-Si:H/pc-Si异质结的能带结构和载流子输运特性。采用HWCVD技术在p型单晶硅衬底上分别制备了晶化率为66%和38%的本征纳�