ZnO/GaN异质结发光二极管的研究进展,王颜彬,方铉,ZnO材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料,以其3.37eV的禁带宽度,60meV的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测�