《哈尔滨工业大学》 2016年 博士论文收藏 | 手机打开 基于错误特征的NAND Flash存储策略研究 魏德宝 【摘要】:NAND Flash凭借非易失、读写速度快、存储容量大、功耗低以及抗震性好等优良特性,在大容量与高采样率测试系统中得到了广泛的应用。为进一步提高NAND Flash的存储容量和降低其单元存储成本,NAND Flash芯片的尺寸随着半导体生产工艺的提高而持续减小。但是NAND Flash存储胞元内相邻两个阈值电压间隔的逐渐减小带来了数据错误率的升高。由于存储胞元仅能承受有限次数的编程/擦除周期,所以导致了NAND Flash有限的使用寿命。因此,研究相关的NAND