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通过对Ti:Al2O3晶体的不同取向的电子顺磁共振(EPR)研究,认为在93 K温度下观测到的g=2.00的强烈各向异性的共振线是来自于Ti:Al2O3晶体中的Ti3+离子2T2g能态的中间能级1e1
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在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD(金属有机物气相沉积)方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,G
全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司与先进存储解决方案领导厂商Integrated Silicon Solution公司日前共同宣布,双方将联手开发基于Spansion H
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