生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO

有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在人工蛋白石空隙中填充了磷化铟(InP)晶体以改变这类材料的光学行为, 在选择了InP的生长条件的基础上进行了周期生长试验。利用扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见光谱(UV-Vis)对人工蛋白石晶体及其填充InP后的形貌和反射谱特性进行了分析。结果发现, 采用周期生长方式有利于InP在模板空隙中的填充, 且在反应时间相同的条件下, 反应周期数越多, InP在空隙中的填充率越高, 填充率增加反过来增大了二氧化硅球和空隙之间的折射率差, 从而可控地对所制备光子晶体光子带隙进行调制。实验表明InP具有较好的生长质量, 此项研究为制备三维InP光子晶体打下了基础。