本文分析了三电平逆变器系统中存在的主要干扰源及耦合途径,并重点分析了这些干扰对于用于逆变器中的IGBT驱动电路会造成的影响;通过这些分析,提出了IGBT驱动电路在进行EMC设计时应注意的一些问题,具体
导读:近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X0
IGBT作为一种大功率的复合器件,存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压,过高的电流变化率会引起过电压,为此需要采用软关断技术,因而掌握好IGBT的驱动和保
是一个IGBT的驱动电路设计,包含退保和过流保护电路。本文首先谈论了IGBT的驱动电路的基本要求和过流保护分析,然后运用IGBT集电极退饱和原理,提供了一个采用分立元件构成IGBT驱动电路和过流保护电
华为工程师做的东西,用于IGBT的驱动放大。
因IGBT具有电流拖尾效应,在关断时要求更好的抗干扰性,需要负压驱动。MOSFET速度比较快,关断时可以没有负压,但在干扰较重时,负压关断对于提高可靠性有很大好处。
针对IGBT全桥模块提出一种新型驱动电源方案,传统驱动电源采用反激拓扑或变压器单原边多副边的方案。反激拓扑只在开关关断时才向副边传输能量,导致瞬态特性差;而单原边多副边的方案中6组驱动电源空间分布过于
介绍了IXYS公司大功率IGBT驱动芯片IXDN404的特点及性能,并在此基础上,根据IGBT驱动的实际要求,设计出了一种具有过流保护及慢关断功能的简单有效的驱动电路,给出了实际电路图和驱动波形。
IGBT及其驱动和保护电路的研究pdf,IGBT及其驱动和保护电路的研究
在IGBT的使用过程中,存在电路失效的情况,而失效的原因通常多种多样,其中一种就是当驱动电路工作频率相对IGBT开关频率不足时,导致的IGBT失效问题。只有对IGBT失效原因进行正确全面的分析,才能找