第一性原理研究高压下单轴压缩硝基甲烷的结构性质,董玉静,程新路,在量子力学从头算方法基础上,通过对0GPa-40GPa压强范围内硝基甲烷键长的变化研究得到固态硝基甲烷结构性质随压强的改变特性。研究�
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对纯CaF2晶体和Mg、Sr掺杂CaF2体系的晶体结构、电学以及光学性质进行了详细的对比研究,结果表明:与纯CaF2晶体相比,掺杂体系的带隙变窄且形成新的
不同侧基苯衍生物电子特性的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理, 计算了未掺杂, Cu、I单掺杂以及Cu-I共同掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质。结果表明, Cu、I单独掺杂TiO2都使得吸收带边红移, I单掺时I5p跟O
蓝宝石(0001)衬底上Al掺杂ZnO生长极性的第一性原理研究,杨平,高乾,本文基于第一原理的方法,对于在蓝宝石(0001)衬底上生长的掺Al的ZnO的极性反转机制进行了研究。结果表明铝掺杂剂倾向于浮
单双轴应变作用下ZnO基态特性的第一性原理研究,商晶,李春,一般来说,施加应变会改变材料的电子结构,因此影响材料的各项基态特性。本文应用第一性原理计算,基于密度泛函理论的线性扰动方
Ag原子修饰石墨烯与氮化硼薄膜的第一性原理研究,陈晓劼,吴其胜,本文主要利用第一性原理对二维纳米材料表面修饰Ag原子进行了理论计算研究。通过计算发现,对单层或双层的石墨烯和氮化硼薄膜表面�
有序钙钛矿钛酸铜钙掺杂问题的第一性原理研究,徐利春,王如志,利用第一性原理方法研究了钛酸铜钙的掺杂选位问题。通过假设La掺杂可能替代的四个位置,计算掺杂后点阵膨胀、形成焓并分析了电子�
半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义,理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理,结合二维带电缺陷计算方法,类石墨烯
共掺杂BiFeO3的磁性的第一原理研究
