全息近藤模型中电阻率的对数上升

jssy_xu 23 0 PDF 2020-06-10 21:06:55

我们使用最近开发的[1-4]全息大N技术研究单通道近藤效应。为了获得该模型的电阻率,我们引入了一个探测场。通过在局部三维AdS3主体中嵌入局部二维Anti-deSitter(AdS2)分子,构建1+1维主体物质中局部铁离子杂质的重力对偶。这有助于我们构建杂质电荷密度,该杂质电荷密度是探针规场的整体运动方程的来源。电荷密度的函数形式是通过求解仅限于AdS2-磁畴的运动方程来独立获得的。探测场的渐近解由杂质电荷密度决定,这又会影响电流-电流相关函数,从而影响电阻率。我们的参数选择将近边界杂质电流调整为微不足道,导致紫外线电阻率出现logT行为,这是近藤问题的预期。IR固定点的

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