V-MOS功率型场效应管具有开关速度快、导通电阻小、输入阻抗高、耐压高及驱动功率小等特点,且有安全工作区宽、过载能力强及热稳定性好等优点,在功率放大、电机调速、开关电源等领域有着广泛的应用。
绝缘栅型场效应管-半导体基础知识。
场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。 (2)场效应管是多子导电,而晶
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1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻
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现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此。
场效应管基础知识-工作原理,结型场效应管的工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,现以N沟道结型场效应管为例,分析其工作原理。 图 1 N沟道结型场效应管工作时,也需要外加如图
场效应管发热的原因 1、电路设计的问题 就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MO