镁掺杂ZnO/SiO2复合材料的激发光谱研究,洪建和,,将ZnO与其他材料复合是调制材料的发光特性一种有效的方法。作者前期工作已发现调节Zn、Si、Mg的比例,可改变Mg掺杂ZnO/SiO2复合材料的
Ag-ZnO 复合结构的一步溶剂热合成及其发光性能研究
ZnO自组装量子点的局域态密度测量,卢洋藩,陈匆,采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(111)及Au(111)衬底表面自组装生长了直径10-15nm的ZnO量子点。SEM图像显示ZnO量子点均匀分布
采用龙格-库塔算法对激光与半导体双量子阱系统相互作用的密度矩阵方程进行数值求解,研究了不对称半导体双量子阱系统中电子布居转移的相干控制。研究表明,调节激光场强和脉冲时间延迟可控制两个下能级间的粒子数转
量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光学特性的影响,林涛,林楠,对于采用AlGaInP/GaInP有源区的670nm波段半导体激光器,可通过量子阱混杂技术制作腔面非吸收窗口来改善其输出光学特性
摄像机标定是计算机视觉中非常重要的一环,传统标定方法需要求解内外参数,非常繁琐。通过建立自适应神经网络直接学习图像坐标与空间坐标间的关系。该方法对Harris角点提取结果进行增加约束的改进,从而提高网
采用532nm锁模脉冲激光和时间分辨测量系统测量了InGaAs/GaAa单量子阱在77K时,不同激发功率下的时间分辨光致发光谱.结果表明,在低激发功率时,阱中的发光峰的位置随时间变化不大.而在175m
从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性,并以InGaAs(P)体系为例,分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。结果表明,具有应变补偿结构的激光器可以获得较大的增益和较小的阈
表面氧空位浓度对ZnO性质影响的第一性原理研究,黄萍,商波,使用DFT方法研究了不同表面氧空位浓度对ZnO(10-10)表面体系的结构稳定性、电子结构和光学性质的影响。计算结果表明,表面氧空位浓度�
采用密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,利用广义梯度近似和Perdew-Burke-Ernzerdorf泛函,计算了不同Sn掺杂浓度下SZO(Sn∶ZnO)体系的电子结构与光学性质。研究了Sn掺杂
