德国是如何控制二氧化碳排放,是如何在不牺牲经济发展的同时也赢得了国际社会的认可的呢?
挤出是用于制造多孔材料如催化剂和膜的常用加工技术。 这种材料的性能和效率取决于孔隙率和孔分布。 催化剂结构内孔隙率的空间变化可以与挤出过程中的过程变量如挤出速度相关联。 挤出速度的变化可导致挤出压力的
采用基于密度泛函理论(DFT)体系下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了SP 3杂化气体分子H 2 O,NH 3和CH 4在金红石相的TiO 2(110)表面的吸附研究发现:。含有氧空位的表面较无氧
一种新型的云母-二氧化钛@石墨烯核壳结构抗静电复合珠光颜料
水热法生长二氧化钛纳晶及在染料敏化太阳能电池的应用,吴季怀,谢桂香,本文采用有机碱作胶溶剂制备二氧化钛纳晶。分别用TEM、XRD、TG、FTIR和UV-vis表征纳晶的形貌大小和晶型及表面形态,并测试
二氧化钒介电常数仿真研究,洪玮,陈钱,本文在第一性原理的基础上,运用Drude模型对相变后的VO2进行仿真拟合,获取了相变后的VO2光学参量。当波长小于3000nm时,Drude模型公式��
纳米二氧化硅颗粒对ICR小鼠急性毒性作用的研究,李阳,于洋,纳米二氧化硅(SiO2)颗粒在工业生产、食品、化妆品及生物医药等领域的应用日益增加,但其可能产生的有害生物学效应尚未完全明确。本
可控蚀刻荧光二氧化硅纳米颗粒及其载药性质的研究,张凌宇,苏忠民,首先采用反相微乳液法制备具有荧光性质的二氧化硅纳米颗粒,在表面覆盖一层聚乙烯吡咯烷酮(PVP)起到保护作用,用NaOH溶液对其进�
SiO2膜在微技术中具有两个主要作用:作为介电层或作为掺杂/蚀刻掩模。在这两种情况下,通常都需要图案化。当在高温烘箱中通过硅衬底的氧化获得时,SiO2被称为“热”。否则,它可以通过化学气相沉积(CVD
1在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质,是MOS器件的组成部分 2扩散时的掩蔽层,离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 3作为集成电路的隔离介质材料 4作为电容器的绝缘介质材料