希格斯门户暗物质模型中的不可见希格斯衰变宽度与暗物质直接检测截面的关系

通常在有效场论（EFT）中介绍希格斯门控单峰费米子DM（SFDM）或矢量DM（VDM）DM模型中的隐形希格斯分支比（Bhinv）与暗物质（DM）直接检测（σpSI）之间的相关性 ）框架。 在本文中，我们导出了具有希格斯门户的SFDM和VDM模型的UV填充内这种相关性的显式表达式，并讨论了EFT方法的局限性。 我们表明，在uv完井中，σpSI中至少存在两个其他隐藏参数：单重态标量质量m2及其与SM希格斯玻色子（h）的混合角α。 特别是，如果单重态标量比SM希格斯玻色子轻（m2 <mhcos⁡α/ 1 +cos2⁡α），则对撞机束缚会弱于基于EFT的对撞机束缚。