通过发射带电标量形成暗物质束缚态

稳定或亚稳态结合态的形成会极大地影响暗物质（DM）的现象。 尽管已知通过向量的发射捕获到绑定状态很重要，但是通过标量发射的捕获却遭受抵消，使抵消仅在狭窄的参数空间内才变得重要。 尽管这对于中性标量介体是正确的，但我们在这里表明，通过带电标量的发射可以形成束缚态。 为此，我们考虑DM在黑暗的U（1）力下充电，并且还耦合到在相同规范对称性下充电的轻型复杂标量。 我们计算了通过带电标量的发射形成束缚态的截面，并表明它们可以超过通过矢量发射以及an灭捕获的截面数量级。 即使耦合到带电标量的DM的值很小，这也适用，并且在全局对称性的范围内仍然适用。 然后，我们计算DM的热冻结，并发现通过带电标量的发射而