不同沉积时间对Ti片上制备ZnO薄膜微结构、光学性能及润湿性的影响,张苗,吴明在,在化学抛光的钛片上用阴极沉积法沉积了ZnO纳米棒阵列,通过改变沉积时间控制ZnO纳米棒阵列的生长。扫描电镜结果显示,所
通过使用React蒸发将非晶Er(2)O(3)膜沉积在Si(001)衬底上。 本文报道了在氧气气氛中,随着退火温度的变化,结构,形态和电特性的变化。 X射线衍射和高分辨率透射电子显微镜测量表明,即使在
不同掺钠工艺对Cu(In,Ga)Se2薄膜电学、结构和形貌的影响,何静婧,刘玮,在柔性衬底上生长Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,Na的掺入会对薄膜的特性有重要的改善作用。不同的掺Na工艺对薄
TiO2和ZrO2薄膜的激光损伤实验表明:随着薄膜吸收的减小,薄膜的单次和多次脉冲损伤阈值都单调提高,导致损伤的主要因素是由于薄膜的吸收(包括本征和杂质吸收)、多次脉冲破坏具有一定的微破坏累积效应.
准一维纳米结构材料例如纳米线、纳米柱和纳米带等具有许多特异的物理、化学特性, 在构建纳米电子和光学器件方面具有很大的应用潜
厚度变化对SmCo薄膜磁性和结构的影响,李宁,李明华,利用磁控溅射制备了Sm含量为18.0at%的不同厚度的SmCo薄膜,并对其进行了退火处理。实验结果表明当薄膜厚度为30nm时,退磁过程体现软�
Al-H共掺杂ZnO薄膜的形貌及光致发光性能研究
利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时
化学浴沉积ZnSe薄膜及其光学特性研究,陈良艳,张道礼,ZnSe作为重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体,在蓝绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。化学�
采用磁控溅射法制备了不同厚度的锑基铋掺杂薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)研究了薄膜结构随厚度的变化。利用椭圆偏振法测定了样品薄膜在近红外波段的光学常数与光学带隙,研究了膜厚对样品
