越来越多的设计正向混合信号发展,IBS公司预测显示,到2006年所有集成电路设计中有73%将为混合信号设计。目前混合信号技术成为EDA业内最为热门的话题。深亚微米及纳米技术的发展促使芯片设计与制造由单
电磁兼容设计通常要运用各项控制技术,一般来说,越接近EMI源,实现EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成电路芯片是EMI最主要的能量来源,因此,如果能够深入了解集成电路芯片的内部特征,可以简化PCB
本文主要介绍了在混合电路设计时需考虑的电磁兼容问题,并分析了产生问题的原因。从电子系统电磁兼容性角度出发,详细地叙述了混合集成电路的布局和布线规则,并进行了讨论。
成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分,将设计基本分为两部分:芯片硬件设计和软件协同设计。
本文详细阐述了混合集成电路电磁干扰产生的原因,并结合混合集成电路的工艺特点提出了系统电磁兼容设计中应注意的问题和采取的具体措施,为提高混合集成电 路的电磁兼容性奠定了基础。
详细介绍了半导体器件技术中关于超大规模集成电路设计原理,从基础入门开始,到进阶提升,让你全面掌握版图设计技术与原理。
2020中青杯A题研究生组三等奖
选用美国Maxim公司的MAX4182。MAX4182为单片、带宽、含门限的电流反馈放大器。 MAX4182的管脚分布如图1所示。在图1中,VOC与VEE之间的电压输入为12V,模拟输入电压范围为
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进
随着微波毫米波集成电路技术的进步有源相控阵雷达技术也在不断的发展.T RTransmit Receive组件作为相控阵雷达中的关键部件其性能直接影响到相控阵雷达的整体性能.为了适应相控阵雷达系统多功能
