Design principle of precision digital reference voltage source
其次利用已经产生的基准电压源和正温度系数电阻实现负温系数电流获取方法,和发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。
MAX6129微功耗、低压差带隙电压基准具有超低电源电流和低漂移特性,采用微型、5引脚SOT23表贴封装,与SO封装器件相比可节省70%的板上空间。这款串联模式电压基准最高可输出4mA或灌入1mA的负
本文通过结合LDO与Brokaw基准核心,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,最高PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇
接口电路基准源电压设计,非常不错的参考资料!
摘要:随着深亚微米CMOS工艺的发展,尺寸按比例不断缩小,对芯片面积的挑战越来越严重,双极型晶体管以及高精度电阻所占用的面积则成为一个非常严重的问题。鉴于此,本文提出了一款高精度的基准电压源的设计方案
微机电系统(Microelectro?Mechanical?Systems,MEMS)是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域。经过几十年的发展,已成为世界瞩目的重大科技领域之一。它涉及
摘要:电压基准源简单、稳定的基准电压,作为电路设计的一个关键因素,电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了不同类型的电压基准源以及它们的关键特性和设计中需要考虑的问题,如精确度、受温
摘要:设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路,通过Hspice验证,具有2.28×10-6 K-1的温度系数,在△V=10V的宽电源电压幅度范围作用下,具有1.2mV/V电源抑制特性
基准电压源电路 有许多方法可以设计基准电压源IC,而每种方法都有特定的优点和缺点。 基于齐纳二极管的基准电压源 深埋齐纳型基准电压源是一种相对简单的设计。齐纳(或雪崩)二极管具有可预测的反