内存和红外线

散射过程中的记忆效应是根据渐近延迟场描述的。 这些场完全由散射数据确定,零模部分由软光子定理设置。 使用渐近延迟场的粒子分解,可以将定义带电粒子的红外有限S矩阵的修整渐近状态定义为量子相干态。 假设散射中的净辐射能量为零会导致新的散射S矩阵守恒律集,这等效于软模的解耦。 存储器的实际可观察​​性要求不消失的辐射能,并且可以使用仅取决于散射数据和辐射能的微分截面的红外部分来描述。 这是IR安全的横截面,其中任意数量的发射光子携带的总能量等于实际内存检测中涉及的能量。