MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计

简介

当今多种MOSFET技术和硅片制程并存，而且技术进

步日新月异。要根据MOSFET的电压/电流或管芯尺

寸，对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进

行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。

与任何设计决策一样，在为您设计中的MOSFET选择

合适的MOSFET驱动器时，需要考虑几个变量。需要

考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态

电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影

响着封装的决定和驱动器的选择。

本应用笔记将详细讨论与MOSFET栅极电荷和工作频

率相关的MOSFET驱动器功耗。还将讨论如何根据

MOSFET所需的导通和截止时间将MOSFET驱动器的

电流驱动能力与MOSFET栅极电荷相匹配。

Microchip提供许多不同种类的MOSFET驱动器，它们

采用不同的封装，因此可以使设计者为应用中的MOS-FET选择最合适的MOSFET驱动器。AN799MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计2.由于MOSFET驱动器吸收静态电流而产生的功作者：JamieDunn耗。MicrochipTechnologyInc.公式2：简介当今多种MOSFET技术和硅片制程并存，而且技术进PQ=(IQH×D+IQL×(1-D))×VDD步日新月异。要根据MOSFET的电压/电流或管芯尺寸，对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进其中：行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。IQH=驱动器输入为高电平状态与任何设计决策一样，在为您设计中的MOSFET选择的静态电流合适的MOSFET驱动器时，需要考虑几个变量。需要D=开关波形的占空比去考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态IQL=驱动器输入为低电平状态电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影