IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控
大功率LED封装由于结构和工艺复杂,并直接影响到LED的使用性能和寿命,一直是近年来的研究热点,特别是大功率白光LED封装更是研究热点中的热点.
杭州士兰微电子公司近期发布了三款带PWM调光功能的大功率白光LED驱动芯片——SB42511,SB42520和SB42821。这三款芯片输入电压在6V~25V,输出电流可达1A;内置温度保护电路,限流
0 引言 目前电镀电源应用越来越广,人们对其品质要求也越来越高。随着半导体技术的进步,电镀电源逐渐向高频高效化、大功率化发展,使得电镀电源具有更高的功率密度、快速的响应能力以及更小的体积。但常规P
与其它的灯源相比,大功率LED会产生严重的散热问题,这主要是因为LED不通过红外辐射进行散热。一般而言,用于驱动LED的功耗有75%~85%最终转换为热能,过多的热量会减少LED的光输出和产生偏色,加
大功率LED照明的恒流驱动技术,有助于LED照明设计参考。
业届领先的半导体厂商矽恩微电子(SI-EN Technology)近日强势推出一款带升压且具有超高效率的大功率喇叭驱动芯片SN2013B, 可以给用户带来超长时间,超大音量音乐播放的震撼体验! S
晶闸管又叫可控硅(SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管,双向晶闸管,光控晶闸管,逆导晶闸管,可关断晶闸管,快速晶闸管,等等。晶闸管是一种大功率半导体
在一个p-n结中,所加的反向电压完全由耗尽层来承担,因此,高压大功率垂直结构器件需要很厚的轻掺杂的硅层来承担很高的反向击穿电压。目前,高压大功率器件的衬底材料主要有三种制备技术:高温三重扩散、气相外延
