晶体管型号大全,你的好助手
此是EXCEL文档,内有大量的日产晶体管的详细参数。
程控单结晶体管PUT(Programmable Uniguction Tr-ansistor),又称可编程单结晶体管或可调单结晶体管,程控单结晶体管实质上是一个N极门控晶闸管的功能,但因它与单结晶体管
主要研究晶体管中浮空场环的技术原理和设计优化及其在实际应用中对晶体管耐压性能的影响。在实际产品版图设计中采用了浮空场环设计并通过优化场环间距来满足晶体管的高耐压要求,并通过Silvaco软件进行工艺和
电子设备及仪器使用的电子元器件,一般需要在长时间连续通电的情况下工作,并且受到环境条件(温度和湿度等)的变化和各种其它因素的影响,(如是在煤矿井下恶劣的条件下工作)因此要求它必须具有高的可靠性和稳定性
1. IGBT模块的选择 在使用IGBT模块的场合,选择何种电压,电流规格的IGBT模块,需要做周密的考虑。 a. 电流规格 IGBT模块的集电极电流增大时,VCE(-)上升,所产生的额定
晶体管时间继电器是目前时间继电器中发展快、品种数量较多、应用较广的一种。它和其他的时间继电器一样,由三个基本环节组成,如图1所示。根据延时环节构成原理的不同,通常分为电阻(R)、电容(C)充放电式(简
1.测定静态工作点 基极选择分压偏置,RC=1.5KΩ,Re=Re1//Re2,RL=∞调节RP1,使UCE=6V,测出Ub,UC,Ue。 表一 静态工作点测定 2,测定电压放大倍数 从输入
1.静态工作点及常用的偏置电路 任何组态放大器的基本任务都是不失真地放大信号。合理地选取静态工作点是实现这一要求的前提。一般来说,静态工作点近似选在输出特性曲线上交流负载线的中点,以获得最大动态范围
表1是通过eb结加反向电压测电阻的一组数据,13VFBE及14VFBE、15DELTA是测R总电阻上的电压差ΔV,16DEF是R总电阻上的电流差ΔI,17R1+R2是ΔV/ΔI=R,18VFBE及19