开关技术中的安森美半导体的IGBT实现高能效的高性能开关应用

摘要:今天,不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用,绝缘栅双极晶体管(IGBT)都可以提供有效的解决方案,以实现最终产品的高能效和高性能。本文主要介绍了利用安森美半导体IGBT实现高能效的高性能开关应用。 在节能至上的市场上,电子设计人员首选可以实现高能效的器件,而且要针对不同应用选择合适的IGBT.推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案,广泛用于电磁炉、不间断电源(UPS )、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。 1 IGBT技术概述 IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 (5至10微秒)。现有IGBT包括沟道非穿通型 (NPT)、沟道场截止型 (