模拟技术中的分析影响IGBT驱动电路性能参数的因素

0 引言 IGBT 即绝缘门极双极型晶体管( IsolatedGate Bipolar Transistor), 这是八十年代末九十年代初迅速发展起来的一种新型复合器件。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身, 具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动(MOSFET的优点), 同时通态压降较低, 可以向高电压、大电流方向发展(GTR的优点)。因此, IGBT发展很快, 特别是在开关频率大于1kHz, 功率大于5kW的应用场合具有很大优势。在全桥逆变电路中, IGBT是核心器件, 它可在高压下导通, 并在大电流下关断, 故在硬开关桥式电路中, 功率器件IGBT能否正确可靠地使用起着