本例介绍的光电效应演示器,可用于物理教学实验、交流发电机原理和光电效应、电磁感应等现象。电路工作原理该光电效应演示器电路由电阻器Rl-R17、电位器RPl-RP3、二极管VDl-VD4、电源开关Sl、
尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb,但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350~500'C温度下生长在GaSb衬底上,较低的温度用来生长重掺杂P型,较高的温度用来生长N型,′
MSM是一种平面结构,结构简单,易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺杂的GaAs外延生长在半绝缘衬底上,接着在GaAs表面淀积金属形成肖特基二极管结构,相互错开的电极各自
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率,但是它无法将光生载流子放大,因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光,我们希望光电探测器具有内部增益,即少量的光生载流子在
光电编码器,是一种通过光电转换将输出轴上的机械几何位移量转换成脉冲或数字量的传感器,是目前应用最多的传感器。一般的光电编码器主要由光栅盘和光电检测装置组成。在伺服系统中,由于光电码盘与电动机同轴,电动
LED背光源与传统CCFL背光源相比,除了因为不含汞,符合环保要求之外,还具有色彩还原性好、响应速度快、节能、安全、寿命长、体积小等优点。LED所具有的这些优势,正吸引着越来越多的厂商开始研制LED背
安华高科技(Avago Technologies)新推高速数字CMOS光电耦合器ACPL-772L,其速度为25兆波特(MBd),是目前业内最快的采用DIP-8封装的双重工作电压(3.3V和5V)的光
松下PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)技术手册pdf,该手册深入浅出地介绍了PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)的特点、使用注意事项、内部结构、应用案例,为广大客户选型提供参考。
安华高科技公司(AvagoTechnologies)推出了四款光电耦合器新产品,主要用于使用SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)制造的功率半导体器件等的门极驱动。新产品的最大特点是最大传播延迟仅为100
欧司朗光电(Osram-os)半导体推出新一代迷你激光棒,波长范围介于 910 nm 至 1020 nm之间,可提供卓越非凡的亮度。这些激光棒之间的输出和光束参数匹配精密,超强光束以特定角度从窄小的激
