MJD50G的技术参数
产品型号:MJD50G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):400集电极最大电流IC(Max)(A):1直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):150最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):10总功耗PD(W):15封装/温度(°C):3DPAK/-65~150价格/1片(套):暂无
产品型号:MJD50G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):400集电极最大电流IC(Max)(A):1直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):150最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):10总功耗PD(W):15封装/温度(°C):3DPAK/-65~150价格/1片(套):暂无