MGSF1N02LT1G的技术参数

shamohai78495 6 0 PDF 2020-12-13 00:12:45

产品型号:MGSF1N02LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):0.750通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55~150描述:0.75A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥1.50

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