NTD25P03LG的技术参数
产品型号:NTD25P03LG源漏极间雪崩电压VBR(V):-30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):51最大漏极电流Id(on)(A):-25通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:-25A,-30V功率MOSFET价格/1片(套):¥5.00
产品型号:NTD25P03LG源漏极间雪崩电压VBR(V):-30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):51最大漏极电流Id(on)(A):-25通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:-25A,-30V功率MOSFET价格/1片(套):¥5.00