NTB25P06的技术参数

sjw77324 8 0 PDF 2020-12-13 02:12:02

产品型号:NTB25P06源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):25通道极性:P沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~175描述:-1.0A,-20V功率MOSFET价格/1片(套):¥8.70

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产品型号:TPS71025P输出电压(V):2.500输出电流典型值(mA):500输入电压最小值(V):3.500输入电压最大值(V):10压差典型值(mV):330静态电流典型值(mA):0.29

产品型号:TL2842P关断功能:No输出方式:单路图腾柱输出电流(A):0.200频率最大值(kHz):500基准电压(V):5启动电流(μA):500工作电流(mA):11输入电压最小值(V):1

产品型号:TL4581P通道数:2关断功能:-工作电压Max. (V):15工作电压Min. (V):5每通道IQ(典型值)(mA):-带宽GBW(典型值)(MHz):10转换速率(典型值)(V/us

产品型号:OPA658P工作电压±15(V):-工作电压±5V:Yes工作电压5V:-最小稳定增益(V/V):900带宽@Acl(MHz):1700转换速率(典型值) (V/us):11.500设置时

产品型号:DAC712P工作电压(V):11.4~16.5位数:16建立时间(uS):10输出类型:电压通道数:1DNL最大值(±1LSB):1INL最大值(±1LSB):2接口方式:并行基准:内部功

产品型号:DAC714P工作电压(V):±15位数:16建立时间(uS):10输出类型:电压通道数:1DNL最大值(±1LSB):1INL最大值(±1LSB):2接口方式:串行基准:内部功耗(mW):

产品型号:DCR021205P输出电压最小值(V):4.900输出电压最大值(V):5.100容限(%):2输出电流(mA):400输入电压最小值(V):10.800输入电压最大值(V):13.200

产品型号:DCR012403P输出电压最小值(V):3.230输出电压最大值(V):3.370容限(%):2输出电流(mA):300输入电压最小值(V):21.600输入电压最大值(V):26.400

产品型号:DCR022405P输出电压最小值(V):4.900输出电压最大值(V):5.100容限(%):2输出电流(mA):400输入电压最小值(V):21.600输入电压最大值(V):26.400

产品型号:DCR012405P输出电压最小值(V):4.900输出电压最大值(V):5容限(%):2输出电流(mA):200输入电压最小值(V):21.600输入电压最大值(V):26.400效率典型

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