金 硅共熔键合

金-硅共熔键合常用于微电子器件的封装中,用金-硅焊料将管芯烧结在管底座上,1979年这一技术用在了压力变送器上。金硅-焊料是金-硅二相系(硅的含量为19at.%),熔点为365°C,比硅或金的熔点低得多,如图1.2所示。在工艺上,金-硅焊料一般用作中间过渡层,置于欲键合的两键合片之间,将它们加热到稍高于金-硅共熔点温度,金-硅混合物将从与其键合的硅片中夺取硅原子以达到硅在金-硅二相系中的饱和状态,冷却后形成良好的键合,利用这种技术可以实现硅片之间的键合。而且,利用半导体材料Ge代替金,在高温下两个硅片之间形成一种新的半导体材料—锗-硅化合物,发展为一项新的硅-硅直接键合技术[1]。然而,高温下金