NTD32N06G的技术参数

larrysnow 3 0 PDF 2020-12-13 08:12:38

产品型号:NTD32N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~175描述:60V,32A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无

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