NTP30N20的技术参数

roless 3 0 PDF 2020-12-13 08:12:35

产品型号:NTP30N20源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):68@10V最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220AB/-55~175描述:45A,30V功率MOSFET价格/1片(套):¥15.50

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