NTMS10P02R2G的技术参数

pnzpb 2 0 PDF 2020-12-13 10:12:15

产品型号:NTMS10P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):1.600通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:20 V, 10 A功率MOSFET价格/1片(套):¥7.00

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产品型号:NCP1216D133R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):133封装/温度(°C):SO

产品型号:NCP1201D60R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):60封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NCV4279D1R2G输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.150极性:正压差典型值(V):0.250输入电压最大值(V):45封装/温度(°C):SOIC-8/-40~85描

产品型号:NCP1217AD65R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):65封装/温度(°C):SOI

产品型号:NCP1530DM25R2G输出电压(V):2.500类型:降压型输入电压最小值(V):1.100开关电流最大值(A):0.600开关频率(kHz):600封装/温度(°C):Micro8/

产品型号:NCP1203D60R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):60封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NCP1217AD133R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):133封装/温度(°C):S

产品型号:NLAS3699BMN1R2G工作电压(V):1.65~4.5导通电阻(Ω):0.850功能:2DPDT封装/温度(°C):QFN-16/-40~85描述:双DPDT模拟开关,超低导通电阻价

产品型号:NCP1800DM41R2G供电电压范围(V):2.5~16可充电池节数:1化学特性:Li-lon典型工作电流(μA):0.500封装/温度(°C):Micro8/-20~85描述:4.1V

产品型号:NCP1201D100R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):100封装/温度(°C):SO

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