NTP27N06G的技术参数
产品型号:NTP27N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):27通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220/-55 ~150描述:27 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥6.00
产品型号:NTP27N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):27通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220/-55 ~150描述:27 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥6.00