电源技术中的一种改进的超低压电压基准源设计

1 概述 在便携式设备广泛使用的今天,低电源电压和低功耗已经成为模拟电路设计的主要主题之一。其中电压基准源是模拟电路设计中的关键模块,应用广泛。它一般要求低电源电压敏感性,低温度漂移特性。传统的基准源电路都是基于带隙基准,利用标准CMOS工艺中的垂直PNP管,但输出电压一般为1.2V左右。随着电路工作电压的继续下降,基准源的输出电压也需要下降。作为可供选择的另一种方案,可以利用阈值电压的不同温度特性产生电压基准。利用有选择的沟道注入,不同浓度的栅注入引入功函数之差。但以上均不适用于标准的CMOS工艺。文献[4]提出了一种新的设计思路,利用NMOS管△VGS的负温度系数乘上权重与PMOS