NSBC114EDXV6T1G的技术参数

seeyoull84308 4 0 PDF 2020-12-31 15:12:06

产品型号:NSBC114EDXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:7A封装/温度(°C):SOT-563/-55~150价格/1片(套):¥.84

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产品型号:MMDL301T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60/0.01A非重复峰值浪涌

产品型号:MMDL6050T1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):0.850正向恢复电压VF最大值(V):1.100最大二极管电容CT(p

产品型号:MMDL770T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):70平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0/0.01A非重复峰值浪涌电

产品型号:MMSZ20T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):19齐纳击穿电压Vz典型值(V):20齐纳击穿电压Vz最大值(V):21@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):55最大功率PMax(W):

产品型号:MMSZ15T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.750@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率

产品型号:MMSZ4700T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):12.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):13齐纳击穿电压Vz最大值(V):13.650@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω):

产品型号:MMSZ27T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功率

产品型号:MMSD4148T1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):4反向恢复时间

产品型号:MMFT960T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.700最大漏极电流Id(on)(A):0.300通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT

产品型号:BSP52T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):1直流电流增益hFE最小值(dB):2000直流电流增益hFE最大值(dB)

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