一种用于低功耗LDO的CMOS电压基准设计

电压基准是LDO线性稳压器的核心部分,它的精度直接影响到输出电压的精度。本文针对低功耗LDO线性稳压器一方面有较低的静态电流的要求,另一方面又有较高的精度要求,提出了一种简单实用的电压基准电路。本电路采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺,仿真结果显示,输出基准电压为1.213 V,静态电流为538 nA,在-55~125 °C温度范围内,温度系数仅为10.58 ppm/°C,低频时的电源抑制比为-85 dB。