带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器

在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收, 防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD), 是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构, 通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口。实验发现扩散温度550 °C, 扩散时间20 min时, 得到的非吸收窗口最为有效, 激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW, 超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍, 激光器的斜率效率提高了23%。测量该类器件的温度特性发现, 环境温度为20~70 °C时, 其输出功率均可大于50