无线通信综合实验:低噪声放大器设计实验
利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的
低噪声放大器的两种设计方法[图],低噪声放大器(LNA)是射频收发机的一个重要组成部分,它能有效提高接收机的接收灵敏度,进而提高收发机
摘要:基于Jazz0.35μmSiGe工艺,设计了一款能够在1.8GHz和2.4GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的SiGeHBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响
本文结合雷达接收机中LNA的指标,通过设计电路结构提高抑制度,与后级的镜像抑制混频器连接达到了较高的镜像抑制比,提高了整个雷达接收机对镜像信号的抑制度。
这里给出了一个50~300MHz的低噪声宽带放大器的设计,该放大器在工作频段内具有优良的增益平坦度和噪声系数,能提高接收机的灵敏度。
在国内GSM系统中,工作频率覆盖了l710MHz~1990MHz的范围,如果使用窄带LNA电路,只能用于一种体制,应用受到一定限制。本文设计的宽带LNA电路,其工作频率覆盖了上述频率范围,使接收机前端
摘要:本文介绍了一种L波段单级高线性低噪声放大器的工作原理和设计方法。与传统的接收机射频前端放大器主要考虑低噪声和高增益特性不同,文中选用了低成本、低功耗的SiGe NPN BJT器件设计高三阶交截点
C波段低噪声放大器的设计,高鹏,,低噪声放大器(LNA)是接收机的重要组成部分。本文主要应用微波电路仿真软件ADS实现了4GHz--5GHz低噪声放大器的设计,指标要求为:噪声�
802.16e低噪声放大器设计,徐天翱,陈永泰,本文利用安捷伦的E-pHEMT(增强型伪高电子迁移率晶体管)GaAsFETATF-551M4,设计了一个基于环氧树脂玻璃布层压板FR4工作在3.4-3.
