为实现894.6 nm低阈值、高稳定性、单模激光输出, 设计了具有不同台面刻蚀结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件, 研究了台面直径和氧化孔结构对器件激射性能的影响。研究结果表明: VCSEL台
以山东省鲍店煤矿6304工作面F17断层作背景,并在该4 m断层宽度的基础上采用UDEC数值模拟方法,分别建立了4、6、8 m断层宽度模型,研究了上盘工作面向逆断层推进过程中不同断层带宽度下垂直应力的
不同春化天数对不同品系大白菜抽薹开花的影响,齐仙惠,李改珍,为了进行大白菜的开花机理研究,本试验以'3#'、'7#'、'8#'、'9#'4个大白菜品系为材料,对幼苗分别进行了10 d、20 d、30
喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响,张鑫,梁红伟,使用MOCVD设备进行GaN薄膜的生长,通过对喷淋头高度这一参数调整得到不同的几组GaN样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(X
SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响,宋琳,梁红伟,利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在相同的条件下在不同倾角的Si面6H-SiC衬底上生长GaN外延层。采用原子力显微镜(
GaAs中轻、重空穴对电子自旋相干动力学的影响,滕利华,牟丽君,研究了9.6K低温下、本征GaAs高过超能量态电子自旋相干动力学的浓度依赖,发现当光子能量为1.57eV,载流子浓度较大时电子自旋相干量
采用Ar等离子体处理GaAs纳米线,通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下,研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明:随着功
掺氮对溅射沉积a-GaAs1-xNx薄膜载流子浓度的影响
势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响
加载速率对声发射事件时空演化特征的影响及微观影响机制,段东,张向东,利用声发射实验设备,研究了砂岩、花岗岩在不同加载速率下声发射事件的时空分布特征,并对有、无声发射事件区域的岩石碎片进行电
