光电探测器阵列CCD摄像器件

目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明[82],此后关于CCD的研究蓬勃发展,CCD像素尺寸由1972年的40um减小到了1995年的5 gm,像素单元也从早的不足2000增加到两千六百多万[83]。CCD型摄像器件包括三个部分:进行光电转换的光电探测器阵列部分、移位寄存器电荷转移部分、MOSFET源跟随输出部分。光电转换部分利用普通PN二极管就可实现,其中重要的、也是CCD区别于其他摄像器件的部分是移位寄存器电荷转移部分。CCD电荷转移由一系列紧密排列的MOS电容器组成,如图1(a)所示。当在某个栅极上加正电压时,就会在栅极底下形成电子势阱,信号电荷就存