新一代超快I V测量技术

与直流电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测量一样,是否能够进行超快I-V测量对于从事新材料、器件或工艺研发特征分析实验室的所有人都变得十分必要。进行超快I-V测量需要产生高速脉冲波形,并且在待测器件可能发生松弛之前测量产生的信号。 早期实现的高速I-V测试,通常是指脉冲式I-V测试系统,是针对某些特定应用而开发的,例如高k介质的特征分析和绝缘体上硅(SOI)恒温测试,或者生成Flash存储器特征分析所需的短脉冲。采用脉冲式I-V测量技术是必需的,因为当采用传统直流I-V技术进行测试时,它们的绝缘衬底使得SOI器件保持了测试信号自身产生的热量,使测得的特征曲线发生偏斜;采用脉冲式测