量身定制低工作电压InAlAs / InGaAs雪崩光电探测器的性能

我们介绍了工作电压低于20 V的薄倍增层InAlAs / InGaAs雪崩光电探测器(APD)的性能。通过改变雪崩区域的电场分布,成功地定制了它们的工作电压,增益电压斜率和暗电流。 薄的倍增层APD在220 K以上的温度下显示暗电流的小活化能,范围从0.12到0.19 eV,这表明在该温度范围内,带-带-隧穿显性暗电流机制。 在低于175 K的温度下,暗电流显示出非常弱的温度依赖性,这主要来自于带间隧穿和表面泄漏电流。 这些APD的光谱响应度在大于1的增益因子上显示出异常的负温度系数,这归因于较高温度下雪崩区中载流子的声子散射效应增强。 对于那些APD,在给定的偏置下观察到良好的增益因子均匀性,并且发现电荷层有助于改善增益均匀性。