量子阱数变化的InGaN / GaN发光二极管的瞬态分析

建立了InGaN / GaN发光二极管(LED)静态和动态行为的速率方程模型,并在SPICE电路仿真器上实现了该模型。 通过将模拟结果与报告的实验数据进行拟合,获得了模型的参数。 通过改变有源区中量子阱的数量,对InGaN LED的瞬态响应进行了比较研究。 仿真表明,光功率的上升时间随阱数的增加而增加,由三个量子阱组成的有源区是最优化的结构。