利用全量子理论,研究克尔介质中耦合二能级双原子与场相互作用的压缩效应,着重讨论了克尔介质对光场压缩效应的影响,并揭示了初始场强及原子间耦合系数的变化与光场压缩效应的关系.
Zetex Semiconductors公司近日推出一系列微型NPN及PNP晶体管,以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件
激光初始光场的强度分布特性在一定条件下将影响其远场能量集中度。讨论了空心束的远场光强分布特性,并提出用强度非平整度因子UE来描述随机初始光场的强度分布特性,强度的深度调制将导致能量集中度的下降。高能激
利用整体蒙特卡洛[EMC]方法,给出了高电场域大块纤锌矿相GaN中电子和空穴的输运性质。 在我们的EMC仿真中,由于缺乏实验数据而很少进行碰撞电离过程的研究。 冲击电离被视为一种附加的散射机制,冲击电
通过在全固态光子带隙光纤的纤芯中心处掺入高折射率锗,形成具有微结构芯的混合型导光的全固态光子晶体光纤。采用全矢量有限元法,对光纤的导光机制、模场、损耗、色散等特性进行了数值分析。结果表明,中心高折射率
美帝西屋公司新产品部出售一种在高重复频率时提供精确电子控制Q开关的双晶体光调制器。此种光调制器是一种普克耳斯盒用作Q开关、光调制器或光闸。它的特征是低驱动电压和髙频率响应。调制器的工作性能、不受温度的
基于量子理论和非线性光学,研究了脉冲光场作用啁啾准相位匹配非线性晶体的第II类自发参变下转换过程中,脉冲宽度和啁啾系数对产生的纠缠双光子特性及Hong-Ou-Mandel(HOM)量子干涉结果的影响。
从光栅擦除特性、光致吸收和热激发能三方面的实验和理论分析,证明了掺铜KNSBN晶体中除了掺入的铜离子作为深能级中心外,还存在浅能级中心,并认为它是晶体生长过程形成的氧空位。实验发现温度在360K附近有
联立稳态带传输方程和耦和波方程,基于Kukhtarev模型和Moharam的场函数,以光强调制度为主要变量,求得了适用于任意干涉光强调制度及光激发效率为任意常数时的光折变晶体中全息相位栅包迹的解析解。
在室温下观测到了固体材料中的慢光现象。用氩离子激光(514.5 nm)单光束入射到红宝石晶体中,用相干布居数振荡效应产生烧孔。利用光谱烧孔使介质折射率发生急剧变化,导致光的群速变慢。实验上观测的时延为
