碲修饰的硅纳米线合成、表征及光学性质,杨丽,唐含笑,硅纳米线,一种重要的一维半导体纳米材料,基于它们的表面依赖性能及其优异的光、电、力、热和化学性质,以及潜在的实际应用已越�
光敏应用的首要工作是让跨阻抗放大器电路拥有良好的稳定性。WEBENCH? 设计器工具 TI 开发人员致力于为客户提供拥有 60°相位裕量的光敏设计,也即约 8.7% 的阶跃输入信号过冲。 WEBE
基于具有开关特性的纳米结的高性能纳米桥接MoO3紫外光电探测器
GaAs81Sb19 / GaAs核壳纳米线中的I型能带对准
氧化钛纳米线阵列的溶胶-凝胶模板合成与表征,田玉明,徐明霞,采用二次阳极氧化工艺制备了高度规则排列的多孔氧化铝(PAA)模板,并利用溶胶-凝胶法在PAA模板中制备了氧化钛纳米线阵列,得到了直�
光电感烟探测器散射特性探讨关于光电感烟探测器散射特性的研究
在功率为15 W疝灯背入射下,测得光谱响应曲线如图1所示,峰值响应波长为286 nm,适合在太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏压下的响应度,在没有偏
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速
由于51的电子空穴离化率之比很高,用它制作的的雪崩二极管噪声低,暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟,所以51材料被广泛应用于APD结构中,而GaAs则较少使用。图1 所示是一个
GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析,陈文丽,李军帅,本文从理论上研究了GaAs衬底-纳米线型pn结的电学特性。结果显示,GaAs衬底-纳米线型pn结表现出明显的二极管特性,与已有的实验数据
