基于密度泛函理论的第一原理,使用量子化学从头算软件WIEN2K对Sn(O1-xNx)(2)材料的光电性能进行了研究。 分析了状态密度,能带结构,磁性,介电函数和折射率。 结果表明,随着氮取代氧的掺杂浓
采用电化学外延法在Mo衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。电解质包含0.124 M CuSO4中心点5H(2)O,0.14 M ZnSO4、0.13 M SnCl2中心点2H(2)O,
<正> Sn / Cu / ZnS前驱体在室温下通过蒸发沉积在钠钙玻璃上,然后在550°C的硫气氛中硫化3 h,制得Cu2ZnSnS4(CZTS)多晶薄膜。用X射线衍射,能量色散X
弹性应变下单层TiS3的机械性质和迁移率,陈乾,童一龙,单层三硫化钛是一个非常新奇的二维半导体材料,在力学性质上表现出很强的各向异性。单层三硫化钛的硬度与黑磷及二硫化钼相当,x�
Fe3C化合物电子结构、磁性和硬度的第一性原理研究,闫牧夫,吴业琼,本文应用第一性原理研究了正交和六方结构Fe3C化合物的电子结构、磁性和硬度。计算结果表明,正交结构的Fe3C化合物较六方结构的Fe3
过渡金属二卤化物电子和钠离子传输特性的第一性原理研究
我们在广义梯度近似(GGA)中采用自旋极化密度泛函理论(DFT)计算来研究C掺杂SnO2(SnO2:C)块状和薄膜的电子结构和磁性。 我们的结果表明,单个取代的C(CO)不会感应磁性,而COCO对可以
P4型碳同素异形体晶体结构与电学性质的第一性原理研究,李青坤,李志远,基于第一性原理方法报告和研究了一种具有P41212空间群结构的碳同素异形体,该种碳同素异形体本文称之为P4碳。使用广义梯度近似方法
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法, 研究了铁(Fe)、硫(S)单掺杂及Fe-S共掺杂氧化锌(ZnO)体系的能带结构, 并对态密度和光学性质进行了对比分析。结果表明: 掺杂后晶格发生畸变; S原子
文章以钾长石与中低品位磷矿石资源的合理利用为目的,借鉴窑法磷酸生产原理,以焦炭、磷矿粉和钾长石为主要原料,在高温下焙烧,以磷的反应率和钾的溶出率为主要指标,考察了还原剂焦炭用量、焙烧温度、焙烧时间、钙