常压化学气相沉积法在铜箔上石墨烯畴的结构演化和生长机理

详细研究了通过环境压力化学气相沉积(CVD)在铜箔上石墨烯畴随时间的结构演变。 获得了高达数十微米的单晶石墨烯结构域,并且首先建立了碳-铜(C-Cu)合金化的纳米颗粒,以充当为石墨烯结构域的生长提供碳物质的中间体。 可以通过控制生长时间来调整层数和大小。 根据结果​​,提出了表面吸附结合外延生长的方法来解释石墨烯在环境压力CVD下在铜上的生长。 我们的工作提出了具有受控结构的石墨烯生产的重大进展。