半导体大硅片行业报告: 12 英寸硅片、 8 英寸硅片国产替代

根据硅片生产流程,首先通过提纯硅氧化得到多晶硅,其后通过单晶硅生长工艺得到硅 片原始材料单晶锭,再通过切片、研磨、抛光等硅片制造工艺得到抛光硅片。通过对抛 光硅片进行特殊工艺处理,可得到退火片、外延片等具备特殊性能硅片。直拉法生长技术是目前较为主流长晶工艺。单晶硅是由单一籽晶生长的单晶体硅材料, 它具有晶格完整、缺陷和杂质很少等特点。根据单晶硅生长方式进行分类,可将其分为区熔单晶硅(FZ-Si)和直拉单晶硅(CZ-Si),其中所涉及的工艺为区熔法和直拉法。 相较于区熔法,直拉法能支持 12 英寸等大尺寸硅片生产,而区熔法则用于 8 英寸及以 下尺寸硅片生产。所以,直拉法是目前较为主流长晶工艺。