电场对掺锌InGaN / GaN量子点中光学特性的影响

在有效质量包络函数理论的框架下,从理论上研究了电场对掺锌(ZB)InGaN / GaN量子点(QD)中激子态和光学性质的影响。 数值结果表明,电场使InGaN / GaN QD中的基态激子结合能,带间跃迁能,振荡器强度和线性光学磁化率显着降低。 艾里斯还发现,在大尺寸量子点中,电场对激子态和光学性质的影响要明显得多。 此外,基态激子结合能和振荡器强度对铟组成较小的InGaN / GaN QD中铟组成的变化更为敏感。 一些数值结果与实验测量结果一致。