对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明,被动锁模半导体激光器(MLLDs) 的总噪声主要由散粒噪声、自发辐射放大噪声、频
从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性,并以InGaAs(P)体系为例,分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。结果表明,具有应变补偿结构的激光器可以获得较大的增益和较小的阈
摄像机标定是计算机视觉中非常重要的一环,传统标定方法需要求解内外参数,非常繁琐。通过建立自适应神经网络直接学习图像坐标与空间坐标间的关系。该方法对Harris角点提取结果进行增加约束的改进,从而提高网
对本实验室在Si (111) 衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400 μm×600 μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V, 主波
Preparation of nanowires
掺锌InGaN / GaN不对称耦合量子点中的氢杂质态
碲修饰的硅纳米线合成、表征及光学性质,杨丽,唐含笑,硅纳米线,一种重要的一维半导体纳米材料,基于它们的表面依赖性能及其优异的光、电、力、热和化学性质,以及潜在的实际应用已越�
氧化铝模板法合成Ni单晶纳米线阵列,陈文,戴英,采用直流电化学沉积法在自制的阳极氧化铝(AAO)模板中成功制备了Ni单晶纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析证明所制得的Ni纳米线阵列�
在有效质量近似的框架内,已对变化的激光场对共混锌(ZB)GaN / AlGaN量子阱(QW)中基态供体结合能的影响进行了研究。 数值结果表明,ZB GaN / AlGaN QW中的施主结合能高度依赖于
我们报告了具有高内部量子效率的InGaN / GaN多量子阱(MQW)纳米棒阵列的光致发光特性。 通过在c面蓝宝石衬底上进行有机金属化学气相沉积来生长InGaN / GaN MQW,然后通过电感耦合等
