一种低电压超低功耗动态锁存比较器

提出了一种低电压超低功耗动态锁存比较器。采用了自适应双重衬底偏压技术,在适当时间将比较器进行顺向衬底偏压与零衬底偏压的切换,以取得功耗延时积(Power Delay Product,PDP)的优势最大化。为解决比较器的在不工作时产生大量的静态功耗问题,提出了一种关断结构。该比较器基于SMIC 180 nm CMOS工艺,在400 mV电源电压下进行了前仿真。前仿真结果表明,电路的平均功耗、响应时间、功耗延时积均显著下降。在时钟频率14.7 MHz时,响应时间为34 ns,功耗为123 nW。